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Phototransistor STE 2/19

LD 578611
Phototransistor STE 2/19
Phototransistor STE 2/19

Description

Sans base, peut servir d'interrupteur photosensible dans les barrières lumineuses ; éclairage par le haut.

Caractéristiques techniques

  • Photosensibilité : 420 ... 1130 nm, maximum à 85 nm
  • Tension de service : max. 35 V
  • Courant : max. 50 mA
  • Puissance dissipée : max. 200 mW
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