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Tracé des caractéristiques d'un transistor à effet de champ

VP4.1.5.3
Tracé des caractéristiques d'un transistor à effet de champ
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Description

Au cours de l'expérience P4.1.5.3, on mesure puis on trace la caractéristique d’un transistor à effet de champ, c.-à-d. le courant de drain ID en fonction de la tension UDS entre drain et source pour une tension de grille UG constante.

Détails d’équipement

3 57681 Plaque à réseau prise de sécurité , 20/10 LD
1 578772 Transistor à effet de champ J112 LD
1 57851 Diode 1N4007, STE 2/19 LD
1 57732 Résistance 100 Ohms, STE 2/19 LD
1 57744 Résistance 1 kOhm, STE 2/19 LD
1 57764 Résistance 47 kohms, STE 2/19 LD
1 57790 Potentiomètre 220 Ohms, STE 4/50 LD
1 57792 Potentiomètre 1 kohm, STE 4/50 LD
2 50148 Cavalier STE 2/19, jeu de 10 LD
1 521488 Alimentation électrique AC/DC 0...12 V/3 A LD
1 521210 Transformateur 6/12 V, 30 W LD
1 575302 Oscilloscope 30 MHz, numérique, PT1265 LD
2 57524 Câble blindé, BNC/4 mm LD
2 531120 Multimètre LDanalog 20 LD
3 500621 Câble de connexion de sécurité 50 cm, rouge LD
3 500622 Câble de connexion de sécurité 50 cm, bleu LD

Mode d’emploi de l’essai

PDF (Description de l'expérience) PDF (Description de l'expérience) P4.1.5.3 Tracé des caractéristiques d'un transistor à effet de champ (en)
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