MOSFET 500V/10A

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MOSFET 500V/10A

Description

Transistor à effet de champ à canal n et blocage automatique. Avec diode rapide en parallèle inverse (FREDFET) et circuit de protection RCD déconnectable. Pour la réalisation de hacheurs, d'alimentations à découpage et d'onduleurs autonomes à haute fréquence de commutation.

Tension drain-source (U_DS): 500 V
Courant continu du drain (I_D): 10 A
Résistance de passage (R_DS(ON)): 0,6 ohms

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