Transistor IGBT 1000V/10A

Transistor bipolaire à grille isolée IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Sa caractéristique d'entrée est semblable à celle d'un transistor à effet de champ à blocage automatique (MOSFET) et sa caractéristique de sortie à celle d'un transistor bipolaire de puissance. Avec diode rapide en parallèle inverse et circuit de protection RCD déconnectable.

Cette plaque est utilisée dans des montages d'application à haute fréquence de commutation sous tension élevée: hacheurs, alimentations à découpage, onduleurs autonomes.

• Tension maximale collecteur-émetteur (U_CEV): max. 1000 V
• Courant collecteur (I_{C AV}): max. 10 A
• Tension de saturation collecteur-émetteur (U_{CE SAT}): 3,5 V
• Capacité d'entrée grille-émetteur (C_GE): 1,8 nF