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Transistor à effet de champ en tant qu'amplificateur

Transistor à effet de champ en tant qu'amplificateur

VP4.1.6.5

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Description

Dans l'expérience P4.1.6.5, le transistor à effet de champ comme amplificateur en mode circuit source et en mode circuit gate est étudié et les propriétés des circuits déterminées.

Détails d’équipement

3	57681	Plaque à réseau prise de sécurité , 20/10
1	578772	Transistor à effet de champ J112
1	57756	Résistance 10 kOhms, STE 2/19
1	57758	Résistance 15 kohms, STE 2/19
1	57761	Résistance 33 kohms, STE 2/19
1	577657	Résistance 68 kohms, STE 2/19
1	57768	Résistance 100 kohms, STE 2/19
1	57776	Résistance 1 Mohm, STE 2/19
2	57835	Condensateur 1 µF, bipol., STE 2/19
1	57836	Condensateur 2,2 µF, bipol., STE 2/19
1	57838	Condensateur électrolytique 47 µF, STE 2/19
1	50148	Cavalier STE 2/19, jeu de 10
1	522621	Générateur de fonctions S 12
1	521488	Alimentation électrique AC/DC 0...12 V/3 A
1	575302	Oscilloscope 30 MHz, numérique, PT1265
2	57524	Câble blindé, BNC/4 mm
1	531120	Multimètre LDanalog 20
2	500621	Câble de connexion de sécurité 50 cm, rouge
2	500622	Câble de connexion de sécurité 50 cm, bleu
1	500624	Câble de connexion de sécurité 50 cm, noir

Mode d’emploi de l’essai

PDF (Description de l'expérience)

P4.1.6.5 Transistor à effet de champ en tant qu'amplificateur (en)

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